1.介绍了一种新型电容储能焊机的电路系统设计。
2.系专业开发，制造线圈类产品和铝电解电容器的制造公司。
3.飞跨电容逆变器因为只需要一个独立直流供电电源、电平数易扩展、控制灵活等优点而备受青睐，但是电容电压的平衡问题却制约其推广应用。
4.用铽改性SBN晶体能有效地改善晶体的性质。实验测量了铽改性Sr0。a0。b体的电容率和热电系数。
5.介绍如何利用电阻、电容与电感来求得电路系统的统制方程式。
6.是专业生产钽电容器、石电容器、络电阻和网络电容的高新技术企业。
7.如被试样件两极间的等效电容值，最大击穿电流值等。
8.对于电阻来说，这个电压是直流的，对于电容和电感来说，这个电压是交流的。
9.图意性地示出基于开关电容器的模数转换器的输入级。
10.并且通过对分压器传递函数的相频和幅频特性进行理论分析，提出一种分布电容补偿的方法。
11.本文以电极电容层析成像系统为研究对象，主要探讨了电容层析成像图像数据采集系统方面有关的问题。
12.对于“幻影”的两点最重要的特色，是其他所有数字式音量放大耳放可以达到的，在输入和输出的信号路径里面是没有电容的。
13.虚拟多介质是一种基于直接边界元的寄生电容快速提取方法。
14.谐振时阻抗无穷大，电纳为零的电感-电容电路。
15.插件钽电容插件钽标准品，小体积、宽温、高稳定、频率特性好。
16.YS型陶瓷电容压力变送器具有多种量程、多种连接形式及多种接液材质。
17.而孔径大小对炭材料的比电容影响很大。
18.在铝电解电容器生产中，磷酸可作为腐蚀液或化成液中的溶质，也可作为水合抑制剂。
19.在图噪声环境下，电容耦合噪声将呈现差分特性，并且带有较强的高频成分。
20.经过详细分析，推出在飞跨电容型多电平逆变器中载波交叠特性不能导致飞跨电容的电压平衡。
21.结果表明:OMC材料均显示出理想的双电层电容行为。
22.出现电路寄生效应，器件制造偏差等问题，可以尝试改变反馈电容值。
23.自动散装电容切脚机与送料振动盘组合使用，也可分开使用。
24.该文利用有限元法对电容式角位移传感器三维电场进行分析，仿真研究不同结构参数的敏感元件，所得结论与实验结果吻合。
25.此电容称重传感器具有一定的实用价值。
26.特点:高击穿电压，低输出电容，特征频率高。
27.转换器在转换期间使用这些电流为内部电容充电。
28.为了测量GIS中三相快速瞬态电压，需要三个电容传感器，而每个传感器同时受三相电压的电场耦合。
29.研究串联电容补偿对线路保护的影响具有重要意义。
30.特征:反向传输电容小，低噪声系数。
31.产品用途：用于叠片电容器的自动切割、容量测试和赋能。[电容造句]
32.当电压关闭时，在世界粮食理事会作为水电容，排放污水的问题本身。
33.在不同烧结制度下制备成陶瓷电容器，借助扫描电镜和宽频介电仪研究玻璃陶瓷的烧结过程及其介电性能。
34.反馈电容CF是分开的。
35.以超级电容器作为储能装置，进行了千瓦级独立光伏系统的研制。
36.选用两支电容传感器作为物理传感器。
37.第一种方式是透过光电二极体上的光源减少来对电容器进行放电，一旦所需的光源输出被产生之后就关闭装置。
38.将二阶开关电容滤波器级联，给出了八阶开关电容椭圆低通滤波器的设计与PSPICE仿真程序。
39.有了这种屏蔽，由静电电压源和耦合电容产生的噪声电流就经过屏蔽流到地，而不再流过信号线。
40.电容和击穿场强是电容器的两个重要电性能指标。
41.高压储能电容器作为脉冲功率系统的核心储能元件，其绝缘性能直接关系到脉冲功率系统工作可靠性。
42.实验结果显示:HfO栅介质电容具有良好的C-V特性，较低的漏电流和较高的击穿电压。
43.细径钽丝是生产袒电解电容器的重要原材料。
44.CBF系列的晶片系以积层晶片电容科技为基础之三端子滤波器。
45.详细讨论了下限频率和耦合电容的计算方法。
46.设计和验证了低寄生电容的差分电感。
47.线路电容对线路电压有两个影响。
48.对三相电容器的暂态过程进行了研究，提出采用接触器和小电流晶闸管组成混合开关，实现了合闸时无冲击电流及分断时无电弧。
49.本文通过对膜纸电容器和全膜电容器的热负荷状况进行了比较分析，亦证明这一观点是正确的。
50.调整电容值时有哪些注意事项？
51.有时，交流线路的输电容量受到“稳态”条件下非阻尼振荡的限制。
52.可变电容器通常不用于定时电路，因为它们的容量太小，实际和价值观念的范围提供非常有限。
53.电阻分压器的测量精度和响应时间受自身分布电容的影响较大，尤其是高压分压器。
54.相对而言，电容式触摸屏就需要具有传导性的触摸设备，所以，必须通过手指或者特殊传导指示笔。
55.KSM持发射机采用双膜片电容咪头。
56.该限幅放大器的设计采用了电容中和技术来实现带宽的扩展，可满足
57.开关电容的充放电平衡使得输出各相之间的电流自动均衡。
58.可变电容器状况很差，当我收到它。
59.举例说明，赫兹的峰点是钳位过程结束后主要由场效应晶体管输出电容和变压器漏感引起的寄生振荡产生的。
60.好象地下某些岩层包含了成排的小电容。
