181.MMCX系列小型射频同轴连接器是一种比MCX更小的微型产品。
182.其中，由于预失真法结构简单、成本低和线性化好，本论文根据预失真法的基本原理，设计了一个基于低频偶次项互调产物的射频预失真器。
183.本发明涉及一种宽带射频功率放大器建模方法。
184.本文介绍了利用DDS来产生线性扫频信号的射频信号发生单元的设计。
185.为了验证理论分析，设计了射频调制法测试介质膜滤波器群速度延时的实验装置。
186.本文设计讨论了射频目标功率校准装置和角度校准系统。
187.射频识别标签已无足轻重。
188.一旦射频设备收集的信号从模拟到数字的格式转换之后，后端处理器将对传感器信号进行分析。
189.采用Hittite公司MMIC元器件和微带电路，实现了测距雷达射频系统的功能。
190.扩频通信的射频信号频带宽度，可扩展到信息信号频带宽度的数倍乃至数千倍。
191.射频工程袖珍手册源代码完整，并可以直接使用。
192.射频晶体管的最低噪声系数通常不在输入完全匹配的地方。
193.结果:室上速经射频消融手术护理获手术成功。
194.大多数研究都聚焦在手机使用者的射频讯号暴露值上。
195.在适当设计的器件中，运用输入射频信号也能激励异质谷间转移电子效应而触发输出放大信号。
196.目的:为了改善晚期肿瘤患者生活质量，观察局部射频透热化疗治疗恶性胸腔积液患者的临床疗效。
197.脾脏射频消融是一种新兴的治疗脾亢的保脾治疗方法。
198.防潮、防腐、防雷击、防射频干扰。
199.得到辐射频谱分布将是与电子的初速度、磁场强度有关。
200.射频消融是否对孤立肾更安全？
201.结论T波记忆是显性预激综合征患者射频消融术后常见的一种心电现象，不具病理意义。
202.介绍一种用于适用于超高频段以上的射频读写器功率控制方案。
203.功率分析仪提供了功率和发射频率的信息，也可以克服由于功率计有限视频带宽而引起的的错误读数。
204.结果患者射频消融治疗后，根治，有效。
205.射频功率放大器增加了调变载波的功率。
206.它通常出现在射频，叶片通过频率和整流子刷频率，其高次谐波。
207.所设计的射频光收发模块具有功能更加全面，性能指标更加优良的特点。
208.选择和测试新的射频器件。
209.射频标签就是含有物品唯一标识体系的编码的标签。
210.大隐静脉主干射频闭锁联合外侧畸形静脉高位结扎和EVLT治疗肢体。
211.射频仿真测试产品主要包括雷达仿真测试和卫星导航仿真测试两大类，均是国防现代化领域的发展重点。
212.有许多协定被提出来保护无线射频辨识系统的隐私性与安全性。
213.采用磁控射频反应溅射法在单晶硅片上制备了二氧化硅薄膜。
214.模拟衰减器在射频和微波网络中有广泛的应用，可用砷化镓MMICS和PIN二极管网络实现。
215.此射频电子标签与标准CMOS工艺兼容，并通过流片和实测验证。
216.应用范围包括，和优越的IMD的免疫力非常高的射频领域的赫相邻信道的DX。
217.真空室内的气体等离子体可由热灯丝或射频放电产生，外还配置了金属等离子体源、两套磁控溅射靶和冷却靶台。
218.射频滤波器插入损耗的测量方法。
219.平面螺旋电感是射频电路设计中最重要的无源元件。
220.基本上，除了肝移植，还有其他治疗，例如射频消融、栓塞、化疗。
221.分析了前端部件中本振源相位噪声和混频器本振射频端口隔离度对系统探测性能的影响，指出在距离较近时影响明显。
222.美国希望到部署战车射频干扰器。
223.低温等离子射频治疗鼻炎能好吗？
224.目的探讨鼻内窥镜下射频治疗腺样体肥大的疗效。
225.尽管处于待机形态，手机也会开释较低强度的射频能量。
226.采用射频磁控溅射技术制备出硼碳氮薄膜。
227.一种顶端负载之类梯形平面天线，其中，顶端负载之类梯形平面天线形成在一基板表面，并藕接至一射频电路。
228.射频识别技术的发展，使得研制这种巡更机成为可能。
229.用线性内插法绘出射频功率―频率曲线，并讨论了影响电火工品射频接收的因素。
230.本文设计了一种一维准周期衍射光栅，理论计算结果表明该光栅的衍射频谱具有自相似性。文中还研究了不同相位子强度对结构因子的影响。
231.正交分频多工;多媒体;无线通讯系统;射频电路;多路径干扰;非线性。
232.方法总结临床利用等离子低温射频治疗仪治疗鼻出血病例资料，总结其护理要点。
233.本文主要根据射频识别技术来实现一种便捷的巡更系统。
234.该文提出了一种新的基于射频六端口网络的多频带OFDM解调器。
235.方法:用电子束蒸发和射频磁控溅射两种技术制备了天然HA薄膜。
236.通过对转管机枪的射频检测试验表明该方法是可行的。
237.应用于数字高清电视的射频电视调谐器就是其中之一。
238.结论:非侵入性射频治疗是一种可选择用于治疗中重度寻常性痤疮安全、有效的方法。
239.用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。
240.采用射频-直流等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅衬底上沉积了类金刚石薄膜。
